三星投资150亿美金平泽新厂
为了满足市场日益增长的数据存储需求，
三星半导体在韩国平泽市投资150亿美金新建存储工厂，今日举行开工奠基。新建的平泽厂主要用于发展10nm工艺和3D技术，预计2017年产线投入生产，未来将成为
三星重要存储器生产基地。韩国政府非常支持韩国企业挑战尖端科技，韩国总统朴槿惠参加奠基仪式。
由于物联网驱动下的大数据存储市场可期，基于未来存储市场需求庞大，SK海力士曾计划2015年在NAND Flash资本支出13亿美金，主要用于10nm级TLC NAND Flash研发与产能扩增。
三星则在NAND Flash方面规划47亿美金，主要用于大陆西安厂3D V-NAND发展，如今还150亿美金投资新建平泽工厂，且大力发展10nm工艺和3D先进技术，
三星在NAND Flash领域的投入可是一点也不手软。
另一方面，现在
东芝/SanDisk，
美光、SK海力士均公布了其3D NAND技术将在2015下半年开始量产，并且为了更好的发展3D技术，
东芝/SanDisk改建Fab 2工厂，
美光则投资扩建新加坡的Fab 10晶圆厂。
三星3D V-NAND技术领先其他厂在2013年开始量产，如今其他厂3D技术奋起直追，
三星势必将加大3D技术投入，以确保3D V-NAND更有市场竞争优势。
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