SD卡封装大厂;三星和东芝在3D技术上的较量更近白热化阶段
在NAND Flash领域，
三星和
东芝处于龙头地位，无论在技术还是在产品上都一直引领着NAND Flash产业的发展，同时
三星和
东芝之间的竞争也必不可少，尤其在2015年3D NAND Flash都宣布开始量产的时候。
在NAND Flash领域市场占有率上，
三星市场份额要高于
东芝，两者之间的差距也正在慢慢的缩小。在NAND Flash技术上，
三星和
东芝分别采用16nm和15nm工艺扩大NAND Flash产量，但随着NAND Flash 2D纳米进入10纳米等级，接近物理极限的量产瓶颈越发凸显。
三星已早在2013年就开始着手生产3D NAND Flash，最初以24层堆栈生产，2014年以32层堆栈量产，据南韩inews24报导，
三星目前已在量产TLC架构的32层结构3D NAND Flash，最快第3季开始投入量产48层结构NAND Flash，并规划64层结构的3D NAND Flash量产时程。
之前
三星宣布开始生产3D NAND Flash，
东芝显得很淡定，曾表示3D V-NAND量产性尚低，所获的收益与最新的2D NAND Flash相比优势不明显。
东芝虽然在3D NAND Flash技术上明显较
三星晚了一年多，但据日本媒体SankeiBiz报导，
东芝已成功研发48层3D NAND Flash，正在供应样品，并将在下半年开始量产。为了更好的生产3D NAND Flash，
三星在大陆新建西安Flash工厂，
东芝则在2014年宣布把Fab2工厂改建用于3D NAND Flash生产，都宣称要在下半年开始量产48层的3D NAND Flash，无论在投资和技术上均可以看出
三星和
东芝在3D 技术上的较量已进入白热化。
在主流的嵌入式产品上，
三星和
东芝目前以eMMC5.0生产为主，2015年2月
三星宣布推出eMMC 5.1，随后
东芝也宣布推出eMMC 5.1，为了满足智能型手机对64GB和128GB存储的需求，eMMC 5.1在容量提供上均从16GB开始，最高都可达128GB。同时，为了满足高阶八核智能型手机对存储更高的要求，
三星和
东芝也均有高速传输的UFS 2.0产品。在嵌入式产品方面上，
三星和
东芝的布局可谓不分伯仲。
至于现在持续升温的SSD市场，
三星不断加强TLC和3D NAND Flash在SSD的应用，还抢下苹果Macbook中SSD订单，不断扩大SSD在消费类PC和服务器数据中心存储市场渗透率，让
三星在SSD市场的市占率超过了30%。相比之下，
东芝在SSD上的布局薄弱很多。
2015-03-28 17:51:16
