南韩存储器大厂SK海力士（Hynix）上修南韩利川新厂投资额到2.1兆韩元（约20亿美元），较原来1.8兆韩元增加约17%，南韩三星日前也宣布投资15.6兆韩元（约156亿美元）建新厂，两家大厂相继增加投资扩产，恐为后年DRAM市场投下变数。
不过，海力士增加投资额相对三星则少之又少，且强调明年将重视获利，不抢市占率，这与三星日前所言，明年市况虽还待观察，但可以确定将不会出现价格正面对决情形，显示明年的DRAM市况将持续是供需稳定的获利年。
业界指出，三星在DRAM市占率高达近4成、SK海力则约占27%，居前二大地位，SK海力士的利川新厂M14明年落成，目前的M10厂将转生产 NAND Flash，上修的投资额集中微缩2X奈米的DRAM、16奈米NAND Flash，看起来对市场影响有限。
三星兴建中的Line17厂预计明年下半年产出DRAM，至于日前宣布的新厂投资计划，将于明年初动工，最快约2017上半年正式投产。
存储器模块大厂威刚认为，以设备装机、量产所需时间推估，DRAM新增产能会较大量产出至少要明年下半年，预期三星从考量集团整体获利来看，扩增DRAM新产能的幅度应相对有限，投资一座12吋厂金额高达30到40亿美元，三星规划新厂应仅会先盖建筑物，设备投资恐视全球景气及市况而定，贸然一次投资机率低，预期未来2年内市场供给将不致出现重大改变。
不过，国际研究暨顾问机构Gartner却不乐观，随着大厂新产能纷投产后，2016年市况将再度出现供过于求。
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