三星电子9日宣布量产业界首见的3-bit 3D存储器NAND flash芯片，可用于SSD硬盘，提升储存效率。
韩联社报导，三星8月首次发表这款存储芯片，每个存储单元(cell)皆可储存3 bit数据，之前3-bit技术仅用于平面(Planar)NAND flash，如今拓展用途，使用于3D NAND flash。
新款3-bit 3D芯片采用第二代V-NAND技术，垂直堆栈32层，整合程度比24层芯片高出30%。NAND flash多用于智能机、平板等移动设备，电源关闭后，储存内容也不会消失。
BusinessKorea 9月16日报导，2000年中期以来，NAND flash制程从40奈米一路降至16奈米，业界专家认为14奈米将是微缩制程极限，因为10奈米NAND flash技术上虽然可行，可是所需的设备投资过高，就算生产也难以获利。
微缩制程遭遇瓶颈，业者因此另辟蹊径，改采3D垂直架构。报导称，其中三星电子技术最为先进，今年5月推出业界首见V-NAND技术堆栈32层，高于前代的24层。部分专家预估，三星可能已经完成48层堆栈的原型技术。另外SK海力士(SK Hynix)、东芝(Toshiba)等也投入研发。
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