TF卡封装大厂:三星量产20奈米DDR3移动DRAM 省电10%

三星电子18日宣布,开始量产业界首见的6Gb 20奈米制程LPDDR3移动DRAM。该公司表示,低耗能产品可让高画质的大屏幕移动设备,电池续航力更长、运算速度更快。

三星新闻稿称,6Gb(gigabit)的LPDDR3数据传输速度为2,133 Mbps。3GB版的LPDDR3芯片组由4个6Gb LPDDR3芯片组成,适用于各种移动设备。新品比现行的3GB LPDDR3体积缩小20%、耗电量减少10%。目标在高阶智能手机、平板计算机、穿戴设备等抢下一席之地。

新品采用三星的新20奈米制程,生产力提升30%。该公司已在3月率先采用20奈米制程生产个人计算机用的4Gb DDR3,如今产品领域拓展至移动DRAM。

韩联社报导,三星电子8月27日宣布开始量产业界首见的直通矽晶穿孔(Through-Silicon Via、TSV)封装的DDR4模块,速度较前代快上一倍,用电量却只要一半。星公关主管Kim Ki-hoon表示,TSV技术能直接传送数据,可大幅提升效率。新推出的DDR4为64GB,供服务器使用,由36个四层芯片组成,每个芯片内含4个4 gigabit DRAM。三星表示,TSV技术还能堆栈更多芯片,模块容量可大于64GB。

三星称量产TSV DRAM模块可让该公司称霸高阶DDR4 DRAM市场,也能为今年下半推出的次世代中央处理器,提供高效解决方案,该公司将于下半年生产64GB以上的高阶DDR4模块。三星估计,今年全球DRAM市场达386亿美元,其中服务器需求约占20%,预估云端运算盛行会带动高阶DRAM需求。

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2014-09-19 17:19:45