四月上旬合约价再度呈现价格上扬的趋势，DDR3 2GB均价自17美元上涨至18美元(2Gb @@Data.03)，涨幅约5.88%，DDR3 4GB均价亦上涨至35 美元(2Gb @@Data.03)，涨幅约在6.1%。
从市场面来观察，由于日本东北大地震影响下，DRAM厂掀起矽晶圆抢料作战，矽晶圆厂也释出手上库存来满足产业需求，加上DRAM厂普遍都有一个月以上的库存量来看 ，目前维持正常投片的能见度可至第二季末。
但长期来看，如果矽晶圆大厂如信越化学及SUMCO不能在近期恢复正常运作，DRAM供应炼受到冲击势必在未来将陆续浮现，加上近期传出部份DRAM厂在40nm制 程良率出现问题，供货不顺下更加深PC-OEM厂对于DRAM厂未来是否能供货稳定度增添疑虑，部份PC- OEM厂决定拉高库存水位，需求转趋积极下，跟DRAM厂议定合约价时亦接受较高的价格，也是让四月上旬合约价攀升的主要原因。
原物料预期短缺下，震灾后DRAM产业将加速转往高附加价值产品因应
日本东北大地震过后近一个月，原物料短缺问题陆续浮出枱面，半导体产业尤其以信越化学及SUMCO的东北工厂迟未复工影响最大，全球矽晶圆产能顿失20-25%，面对原物料可能短缺，DRAM厂势必暂缓低毛利及低制程产品生产，转向高附加价格产品及加速制程转进速度来 降低未来原物料可能短缺的冲击。
根据调查韩系厂商如三星及海力士由于同时有DRAM及 FLASH两大产品生产，如三星计划将部份DRAM产能转向NAND Flash产品，显见NAND Flash产品后市比 DRAM产品更为看好，如果面对矽晶圆短缺，将满足Flash产品为优先，而日系厂尔必达也已暂缓广岛厂中标准型DRAM生产，厂内仅保留附加价值高的行动式记忆体生产及部份代工业务，并将标准型DRAM生 产全数转交子公司瑞晶及代工厂力晶，瑞晶方面也将加速38nm及下半年32nm制程转进，即使面对投片 的不确定性，亦能保持产出量不变。
力晶方面也将拉高45nm制程投片与毛利较高的代工业务比例，确保获利能力不受地震影响，而南科与华亚科，算是震灾中上下游供应炼较为无虞的厂商，但产品结构 的改变上仍按照原订计画进行，南科在下半年将有行动式记忆体正式量产，华亚科亦希望可以在下半 年加重行动式记忆体及伺服器用记忆体的比例，而茂德方面已经在评估DDR3 2Gb生产的可能性，也希 望让震灾后的冲击减至最小，华邦自去年已将产品重整并转向生产毛利较高的产品，只要矽晶圆供应 无虞下，今年应可维持不错的表现。
