随着NAND Flash纳米制程技术不断向下微缩，技术瓶颈越发凸显，3D NAND Flash技术经过几年时间的沉淀，上游芯片厂三星、东芝、海力士、美光已在2013年公布了3D技术规划的时程表。
3D NAND技术与现有的2D NAND（纳米制程技术）截然不同，2D NAND是平面结构而3D V-NAND是立体结构，3D结构是以垂直半导体通道的方式排列，多层环绕式栅极(GAA)结构形成多电栅级存储器单元晶体管，可以有效的降低堆栈间的干扰。3D技术不仅使产品性能至少提升20%，而且功耗可以降低40%以上。
三星已在2013年8月首次批量生产3D V-NAND产品，制程35nm，可以堆叠24层，容量可达128Gb V-NAND，到2015年24nm 3D 36层容量将达到1Tb。东芝/闪迪计划采用P-BiCS(Pipe-shaped Bit Cost Scalable)技术生产3D NAND Flash产品，于2015下半年量产；美光3D NAND Flash产品预计2014年第二季度送样，量产时间待定；SK海力士则使用微调VSAT(Vertical Stacked Array Transistor)技术生产3D NAND Flash，也于2015年迈入量产阶段。
虽然各芯片厂都已列出了3D技术的量产时程表，但目前除了三星已开始量产外，其他芯片厂均在2015年量产，未来1年多的时间将依然以2D NAND技术生产为主，直到1znm的工艺。
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