报导，3D存储器芯片将是全球半导体市场的新战场。在开发新一代3D存储器芯片与推进商品化上，全球前二大NAND存储器厂－日本东芝与南韩三星电子，彼此之间正展开一场激烈的生死斗。
据报导，东芝计划在2019财年生产容量高达1TB（terabyte）的NAND芯片，是目前NAND芯片容量的16倍之大。
3D存储器芯片内部层数越多，存储器容量就越大。目前东芝与三星均未透露自家开发中的3D存储器芯片能容纳多少层数。产业消息来源透露，去年两家公司的3D芯片内部层数已达到24层，今年可望进一步开发32层的3D存储器芯片。
东芝主管表示，目前在这个阶段尚无法量产3D存储器芯片，因为采用尖端技术的传统型2D存储器芯片，仍较具生产成本竞争力。不过，一旦3D存储器芯片内部层数达到48层这个技术门槛，那情势将完全逆转，存储器芯片世代将正式从2D进入3D，而这个改变可能提前到来。
产业专家表示，东芝与三星均计划在2015年开发出48层的3D芯片，两家公司现正彼此较劲，希望赶在对方之前推出真正的新一代存储器芯片。
只要跨过48层的技术门槛，东芝与三星就可能投入3D芯片的量产；而谁能最先达到目标，谁就能抢占在3D芯片市场取得领先优势的先机。
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