SD卡闪存大厂-三星开始量产高性能128Gb NAND Flash

三星开始量产高性能128Gb NAND Flash

三星电子表示,从上个月开始,已全面量产高性能10nm级128Gb闪存。128Gb 3bit MLC闪存是目前储存半导体中容量最大的产品,三星电子通过量产128Gb 3bit MLC闪存,将全面扩大大容量产品及SSD市场,并快速推进64Gb MLC市场的升级。

自去年11月初,三星电子便开始大批量生产10nm级超高速64Gb MLC闪存;不到5个月,在容量上扩大至两倍的10nm级128Gb闪存产品又得以量产,三星电子此举进一步巩固了自身在eMMC,SSD等业内最大的大容量内存阵营的地位。

128Gb闪存是业内最高水平的大容量高性能闪存产品,它采用了以10nm级3bit MLC为基础的Toggle DDR 2.0高速用户界面,即使与20nm级64Gb MLC闪存相比,10nm级128Gb 3bit 闪存产品的生产率也提高了2倍以上。

2010年,三星电子就已在世界上首次大批量生产了20nm级64Gb 3bit M LC闪存产品,随后搭载去年9月推出的840 SSD系列产品,大幅扩大了250GB以上的大容量SSD市场,并进一步加快了大容量内存储市场从20nm级64Gb MLC升级到64Gb 3bit的进程。

今年,128Gb 3bit MLC闪存产品不仅将确保扩大128GB内存市场(能够保存8GB FULL HD 16篇),而且很有希望全面扩大能转变HDD(Hard Disk Drive)市场500 GB以上的大容量 SSD市场,并同时推进SSD大众化时代的提早到来。

三星电子存储器事业部战略营销部全永铉副社长表示,“通过此次高性能128Gb 闪存的量产,将持续强化三星产品在大容量存储器市场上的产品竞争力。未来,我们将适时推出新一代更高品质的存储产品,积极应对全球客户日益增长的存储产品需求。”

未来,三星电子将领先推出新一代以3bit MLC闪存为基础的大容量SSD以及内置存储设备和差别化的解决方案,从而持续保持技术竞争力的优势,并主导高端存储市场的成长趋势。


远通联达·业务一部·黄轲

2013-04-12 10:51:26