NAND flash大厂三星拟提前发表3D NAND芯片
根据韩国时报的报导，韩国三星电子要投入更多资源，希望年底前能发表首款3D NAND型芯片，较原先计划提前6个月，除了满足智能型手机等处理大量资料的需求外，也要巩固此前景可期的市场地位。
包括IBM和东芝等芯片业巨擘，都竞相研发被视为下一世代主力的3D NAND型芯片，因为3D技术打破目前NAND型芯片的微缩极限。NAND Flash芯片采用非挥发性（non-volatile）储存技术，不需要电源来保存资料。但3D NAND型芯片采用3D技术，拥有更节省成本和保证有更多闪存格（memory cell）优势。
三星表示，现在全球闪存芯片业只剩少数主要供应商，拼命「烧钱」时代已经过去，三星要提升3D NAND型芯片的生产技术。芯片商在平面NAND型芯片上，正面临10纳米制程以下的技术极限，让芯片业要为此做出调整。
三星认定3D NAND型芯片，将在未来2到3年内成为业界主流。由于生产成本能够降低，又具备大量数据储存的能力，这表示消费者能以更实惠价格，购买智能型手机、平板计算机和其它数码设备。
但在量产之前仍有一些技术问题要解决。Sanford C. Bernstein分析师纽曼（Mark Newman）认为，3D NAND型芯片的制程复杂，可能要使用不同的工具组。
远通业务一部·黄轲
2013-04-01 08:59:56
