起航 三维NAND闪存

起航  三维NAND闪存

将存储单元沿三维方向层叠的三维NAND闪存终于要扬帆起航了。NAND闪存过去一直通过二维(水平)方向的微细化和多值化来增大容量,但已逐渐接近极限。为将容量增至TB级,东芝、三星电子及SK Hynix争相开发三维NAND闪存,有报道称最早将于2012年底~2013年初制造出样品。

果然,在201271012日于美国旧金山举行的“SEMICON West 2012”上,世界著名的半导体制造设备供应商美国应用材料公司(AMAT)发布了三维NAND闪存专用蚀刻设备“Applied Centura Avatar”。据介绍,AMAT已向多家半导体厂商供应了30多台反应室。

由于层叠了多层多晶硅与绝缘膜,三维NAND闪存需要加工出深宽比很高高的贯通孔(存储孔)、触点及沟道(沟槽)。比如,存储孔直径为40nm50nm,深宽比为60,触点直径为55nm65nm,深宽比达到3080。此次发布的蚀刻设备采用了自主的等离子控制技术,能够实现这种高深宽比蚀刻加工。

至于三维NAND闪存能否成为今后存储器的主流,目前还无法预测。存储器厂商在开发三维NAND闪存的同时,也在开发二维NAND闪存和新型非易失性存储器。这些厂商将首先供货三维NAND闪存样品,然后观察客户厂商的反应。

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2012-07-20 12:11:53