可蚀刻3D NAND 应材新系统

应用材料公司(Applied Materials)推出全新蚀刻技术 ─ Applied Centura Avatar介电层蚀刻系统，这系统是用来制造高深宽比的蚀刻应用，如3D NAND内存结构，以迎接高行动装置时代的到来。

应材表示，根据预估，平面的NAND寿命只剩两个世代，因此现今NAND 快闪装置必须做改变，以符合行动内存的需求。由于传统平面型的技术无法微缩20奈米以下的NAND；而较先进的技术如极紫外线微影，成本所费不赀，因此，下一代符合成本及高容量规格的解决方案即是垂直堆栈NAND内存单元，这也是应材致力推出可制造垂直NAND组件技术的主要原因。

Avatar系统为全新设计，可在3D NAND内存数组进行既深且窄的蚀刻，这些3D数组是令人振奋的新型闪存装置，有多达64层垂直建立的记忆单元，可在小面积内建立极高的位密度。

Avatar系统可在复合薄膜堆栈层中进行孔洞性蚀刻及沟槽性蚀刻，深宽比可高达80:1，以形状比例来形容的话，美国华盛顿纪念碑的深宽比是10:1高(台北101大楼约9:1)。此外，该系统是第一款具备能同时蚀刻深度变化落差极大的特征结构功能的系统，对于制造连接外界与各层记忆单元的「阶梯式」接触结构非常重要。

新的 Centura Avatar 系统设计独特，完全符合垂直NAND蚀刻需求，该系统支持光罩蚀刻，比同业快30倍以上，能同时在不同层材料上蚀刻出各种不同深度的结构。另外，该系统也是第一款具备能同时蚀刻深度变化落差极大的特征结构功能的系统，对于制造连接外界与各层记忆单元的「阶梯式」接触结构非常重要。

这套 Avatar 系统能进行高深宽比达 80:1的蚀刻，在先进的逻辑、DRAM及NAND制程上不可或缺；若举现实生活中大楼形状来形容的话，台北101办公大楼深宽比(即楼高:楼宽)是9:1，目前已有超过30台反应室出货至客户端。