韩国三星、海力士两家大厂在NAND Flash（储存型闪存）版图持续扩增，还在低阶产品起步的台湾内存厂，原本就难以跟韩厂抗衡，如今，韩厂又展开前段控制芯片的收购动作，对台湾供应厂商价格战威胁势必加大，台厂亟需有所因应。
三星、海力士在DRAM市占率合计超过70%，在NAND Flash势力也不小，两家市占率共达45.4%，随着持续扩增产能，市占率可望逐年上升。
台湾存储器厂过去在NAND Flash生产是缺席的，目前还正起步中，且属于低容量产品，旺宏（2337）、华邦电（2344）、力晶（5346）相继切入SLC的NAND Flash，例如旺宏已开发512MB与1Gb产品，采75奈米制程生产，跟韩厂高容量产品与20奈米先进制程等市场大不同。
今年以来，NAND Flash因供给增加，需求较疲软，价格持续下滑，但近期随着第三季传统旺季到来，价格看升，尤其控制芯片价格近月已持续上涨，厂商寄望下半年，Ultrabook配备SSD能刺激NAND Flash需求与价格全面回升，但韩厂向来擅长打价格战，一旦在前段控制芯片，竞争力提高，对台厂杀价势必不手软，台厂须有应变方式，才能因应变局。
