日本东北大地震造成的电力及矽晶圆供应短缺问题，除使储存型快闪(NAND Flash)记忆体现货市场价格急涨，也影响东芝(Toshiba)今年上半年NAND Flash的总产出量，因此成为其他竞争对手趁势抢单的绝佳时点，尤其对市占率仅些微领先东芝的三星而言，更是进一步拉大差距的大好时机。
三星若藉东芝调整营运步伐之际趁虚而入，影响将扩及NAND Flash、DRAM与晶圆代工产业。
日本强震已使东芝原本的布局受到影响，限电、矽晶圆短缺更为其今后的营运增添不少变数，即便顺利于短时间内复工，亦仍须经过机台校正与试产等过程，才能确保产品品质的稳定。这段时间若其他竞争对手趁机坐大，除会动摇NAND Flash记忆体市场版图外，甚至将间接冲击台湾半导体产业。
目前三星仍是NAND Flash市场龙头，2010年市占率高达39%，则以35%的微幅差距，暂居第二，第三名的美光(Micron)市占率约11%，与前两大厂的营收规模已有显著落差，而海力士(Hynix)和英特尔Intel)则分别以9%、6%的占率有，名列第四及第五名。
长久以来，三星一直试图想在NAND Flash市场进一步拉大与其他竞争对手的差距，但受到东芝和美光/英特尔(Intel)两大劲敌的制衡，迟迟难以如愿。如今，东芝受到日本大地震波及，美光/英特尔与三星无疑变成最直接的受惠者，前者若顺利壮大，将使NAND Flash市场三分天下的态势更为明显，而若是三星受益较多，除能一偿宿愿，甩开后方追兵外，营收也可大幅增长，为其发展动态随机存取记忆体(DRAM)与逻辑/晶圆代工事业，提供坚强的资金后盾，长远观之，将对台湾DRAM与晶圆代工产业发展造成极大威胁。
根据东芝22日所公布的最新消息，该公司位于三重县四日市，与新帝(SanDisk)合资的两座12寸NAND Flash晶圆制造厂Fab 3和Fab 4，已开始复工，并如常运作，但整个供应链的问题仍令人担忧，包括零件和材料采购以及物流在内。事实上，四日市的工厂由于距离震央约500英哩，故厂房设备并未严重受损。
