TF卡厂家/2012年下半年DRAM/NAND市况好转

2011年PC市场需求低迷,DRAM市况表现不佳,导致部分厂商获利减少,NAND 市场从2011年下半年开始,价格也是只跌不涨。在DRAM领域尔必达(Elpida)重整效应之后,2012年全球供给大幅低于历年平均值情况下,2012年下半年DRAM市况可望好转,而NAND Flash因为固态硬盘(SSD)需求和平板电脑崛起的挹注下,NAND市场也在下半年进入佳境。
目前DRAM产业仍陷在尔必达破产保护混乱状态中,以目前尔必达广岛厂产能12万片加上转投资瑞晶8万片产能来看,尔必达未来即使走向整并,旗下产能不可能全数退出市场,至少瑞晶8万片产能持续留在PC DRAM市场机率相当大。不过,若瑞晶面临技术母厂易主,或是整并时间一拖再拖,恐影响其制程转换进度,间接让全球供给产能减少。
据数据显示,2012年全球DRAM位成长率(Bit Growth)估计恐将不到30%,大幅低于历年来逾50%趋势,此将有助于DRAM产业在2012年下半进入传统旺季后,逐渐脱离供过于求窘境。
在产品应用方面,存储器厂不再把多数产能押宝在PC DRAM,转向平板计算机采用的Mobile RAM和云端运算大量采用的服务器DRAM,未来产品多元化将是存储器厂致胜关键。
NAND Flash领域,近期主流闪存卡和优盘过度杀价,导致价格一再创新低,虽然NAND Flash市场价格下滑,部分NAND Flash厂传已亏损,但是价格下跌大大降低了SSD的生产成本,促进了SSD的普及,在加上平板市场销量成长大,预计2012年下半就有机会摆脱供过于求,且第4季高容量产品可能出现缺货。
NAND Flash大厂三星、美光/英特尔、新帝/东芝纷纷进行扩产,也主要是看到了智能型手机、平板计算机、轻薄型笔记本电脑、固态硬盘等高容量内嵌式芯片需求起飞,提早做好增加产能的计划。
NAND Flash发展空间大,NAND Flash大厂投资扩厂迅速,制程不断下探,技术瓶颈逐渐显现,在产能倾巢出笼的同时,然业者担心成产质量能不能保障。由于低成本的TLC质量上未能达到要求,所以还未能进入内嵌式存储器领域,如果控制芯片厂能克服TLC难题,成本结构会更具吸引力,在NAND Flash领域也将是一大突破。
NAND Flash未来发展空间大,将成为最大的存储产业市场,根据市调机构Gartner统计,2013年全球NAND Flash产值将达356亿美元,正式取代DRAM产业340亿美元,成为全球第1大记忆体市场,而2012年此2产业营收表现差不多。
在全球资本支出方面,在2011年NAND Flash产业资本支出104亿美元,早已超过DRAM产业89亿美元,2012、2013年NAND Flash产业资本支出,预计达120亿和139亿美元,都将远远超过DRAM产业。
在其他记忆体方面,预计2011~2016年复合成长率,NAND Flash产业以13.6%成长居冠,其次是DRAM产业复合成长率为4.4%,其他RAM、PSRAM、NOR Flash的复合成长率都是负成长。
2012-03-30 13:41:09