存储器大厂美光(Micron) 20纳米制程64GB芯片量产，128GB芯片将于2012年量产，对于固态硬盘(SSD)领域布局越来越积极，尤其在控制芯片零组件上，目前美光主要采用Marvell解决方案，NAND解决方案事业部门营销总监Kevin Kilbuck指出，未来S
SD卡控制芯片将一部分采in-house自制，一部分与策略合作伙伴合作，且不排除与台厂，市场预期群联、慧荣、擎泰皆有机会合作。
美光在NAND Flash领域布局3方进行，一方面与英特尔(Intel)在新加坡的IMFT晶圆厂启动，目前单月产能约6万片，美光约可分得80%产能，且该厂房以25纳米制程为主。
第2方面，IMFT在美国犹他厂目前已领先导入20纳米制程技术，等20纳米制程成熟后，会将技术转至新加坡厂；美光宣示要保持过去在34纳米和25纳米领先的态势；第3，在SSD策略上越来越积极，将分为消费端Client SSD和企业端Enterprise SSD分头并进。
随著美光加速布局SSD，牵动其控制芯片策略，以过去美光NAND Flash产品上的习惯，多是采外购的控制芯片，但SSD产品在线会考虑用in-house产品，一部分原因也是想掌握产品的质量。
美光
SD卡工厂目前在SSD产品技术分为34纳米、25纳米和20纳米制程，2010年以34纳米为主，共推出P300和C300产品两款；2011年进入25纳米制程，包括主流SSD产品、加密型SSD产品；2012年会进入20纳米制程，且进入mSATA市场，届时可望搭上Ultrabook商机。
Kilbuck表示，美光和英特尔旗下20纳米制程的64GB芯片量产后，20纳米的128GB芯片日前也正式问世，预计8片裸片可达到1TB储存容量，是现有20纳米64GB芯片的双倍，而128GB芯片也符合ONFi 3.0规范的要求，可达到333MT/s的传输速度，未来应用面会朝平板计算机(Tablet PC)、智能型手机(Smartphone)和大容量固态硬盘(SSD)迈进。
美光在20纳米制程是采用平面式单元结构(Planar Cell Structure)，将High-K Metal Gate(HKMG)技术集成至芯片结构中，突破传统NAND Flash技术的传统浮动闸(Floating Gate)架构，未来将再采3D NAND用堆叠式的技术作法。
待未来20纳米的128GB芯片成为主流后，将可大量用于运端运算用的服务器，还有平板计算机、智能型手机等行动装置，以及对于高画质影片的需要增温，皆需要庞大的储存容量。
