美光SD卡工厂与英特尔合作20nm NAND技术将于本月投产

[SD卡工厂新闻]三星、东芝及美光进入储存型闪存(NAND Flash)三雄争霸战,美光科技与英特尔合资IM Flash(IMF)公司本周四(8日)将在台发表新产品。法人看好,未来美光可望扩大南科(2408)及华亚科合作,迎战三星。
美光科技预计本周四举行新制程及其产品发表会,将由美光科技美国总部NSG(NAND Solution Group)事业部门营销总监Kevin Kilbuck来台进行简报。
美光科技预计于本月发表IM Flash Technologies(IMFT)公司最新的制程发展,而IMFT即为美光科技与英特尔共同合资成立,双方共同开发最新的技术为128Gb 的20nm NAND,规划于于本月投产。
美光科技看好NAND Flash未来发展前景,这次由美国总部事业部门营销总监Kevin Kilbuck亲自来台造势,将对外畅谈128Gb 的20nm NAND装置如何提高运作效能及提供双倍储存空间, 以供应平版产品、智能型手机及固态硬盘(SSD)的发展与需求。
这是三星今年第三季宣布20奈米制程产出NAND Flash 后,另一阵营跨入20奈米制程,三星宣布预定明年下半年SD卡NAND Flash制程推进至10奈米制程后,美光已加速制程推进脚步;东芝甚至关闭三座模拟芯片,将资源投注NAND Flash 研发;旺宏也计划明年跨入高容量NAND Flash量产。
由于时机正值合作伙伴南科与尔必达正针对DRAM专利闹的不可开交,美光高层这次来台,是否会暗助南科反击;或进一步将闪存的技术,转移给合作伙伴南科,使其脱离DRAM产业困境,或是扩大取得华亚科技股权,掌握庞大产能作为NAND Flash生产基地,已引起市场关注。
美光稍早透露,泰国洪灾造成硬盘缺货及智能型手机、平板计算机热卖,让NAND Flash需求强劲成长,笔记本电脑所需硬盘缺货,正好让固态硬盘(SSD)取代;不少笔电厂推出超轻薄笔电,也推升SSD应用,不过SSD价格仍高,要将市占推升逾二位数,还需一段时间。
根据统计,截至今年前三季,全球NAND Flash市占排名,三星以37%居冠、东芝31.6%居次,美光和英特尔合资的IMF排名第三,市占为29.1%;海力士市占为11.8%,居第四。
业者透露,智能型手机、平板计算机及超轻薄笔电等扩大NAND Flash需求,也加深各主要内存大厂的战火。
2011-12-07 09:09:54