2011年NAND Flash应用层面有2大突破，第1是正式走入内嵌式存储器趋势，第2是固态硬盘(SSD)应用进入笔记本电脑(NB)趋势东山再起；日前存储器模块厂和控制芯片业者一致看好，2011年SSD应用仅是试水温，2012年SSD趋势一定会起飞，尤其是19纳米制程成熟后，SSD每单位成本可达到业界期望已久的1美元水平，将助长SSD势力再下一城。
SD卡 NAND Flash应用过去2年在快闪记忆卡、优盘、MP3应用到极限后，看似走到瓶颈，但智能型手机、平板计算机、超薄型笔记本的趋势崛起，也让NAND Flash需求再度迎接第2春到临。
智能型手机、平板计算机、超薄型笔记本用的内嵌式存储器eMMC、miniSATA伴随科技产业革新而成为存储器产业新趋势已无庸置疑，而SSD则被点名为2012年将大爆发的应用趋势。
存储器模块龙头厂金士顿(Kingston)、控制芯片大厂群联等都表示，2012年SSD需求一定起飞，尤其是各家NAND Flash大厂导入19纳米制程后，将驱动SSD成本再下滑，加速SSD普及化，大量进入消费性领域如Ultrabook应用、企业领域如服务器用SSD、工业计算机领域取代传统硬盘等。
根据全球4大NAND Flash供应商的技术蓝图规画，东芝(Toshiba)／新帝(SanDisk)阵营转进19纳米制程，三星电子(Samsung Electronics)则是在年底量产20纳米制程，美光(Micron)／英特尔(Intel)阵营则是转进20纳米制程，而海力士(Hynix)也将大量转进21纳米制程。
模块厂表示，
SD卡工厂 这一次NAND Flash大厂从26、27纳米制程转进21、20、19纳米的速度，比过去每一代的制程技术转换速度都还要快，虽然考验市场接受度及控制芯片支持的衔接能力，但也有助于SSD成本进一步下降，甚至趁著这一次泰国洪水导致的硬盘缺货空窗期，能加速入侵部分传统硬盘应用市场。
据统计，2011年全球NAND Flash营收规模约248亿美元，较2010年成长20.6%，预估2015年NAND Flash营收规模可达354亿美元，智能型手机、平板计算机、超薄型笔记本和SSD等应用将担任重要角色。
目前存储器模块厂也加速布局这些新应用领域，对业界而言，卖1个SSD消耗的NAND Flash容量，可以是传统快闪记忆卡的4~5倍之多，藉此拓展新产品线和提升高利润产品来源。
