DRAM现货价回跌 SD工厂发展较为乐观

DRAM现货市场在缺乏实际需求支撑下，才享受短暂好光景后，报价又开始回跌，虽然终端买气力道不足，但上游供应商也不愿意杀价，因此市场成交相当清淡，不过DRAM业者担心三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 30纳米制程大量出货后，成本会进一步下降至0.65美元附近，台厂只能尽早跟进至30纳米制程技术，以拉近彼此间的竞争距离。 2Gb DDR3品牌报价好不容易回到1美元关卡，但因为没有强劲的终端需求做后援，近几日报价开始回跌，再度面临1美元关卡保卫战。业者认为，这一波DRAM报价反弹是受惠台系上游厂减产和降低出货量所带动，但价格从0.8美元拉到1美元以上，其实也没有让DRAM厂转亏为盈的条件，仅让台厂松一口气，现金流出的速度不要太快。不过，现在台厂最担心的还是三星和海力士30纳米制程技术已随时准备应战，目前是小量出货，预计年底到2012年上半会大量出货，届时30纳米制程的变动成本可从1美元再降至0.65美元附近，让台厂备感压力。目前台厂的应变措施也只能循序渐进，SD卡工厂部分DRAM厂已争取尽快转进30纳米应战，台厂进度最快的是瑞晶和华亚科，其中瑞晶的12寸晶圆厂已100%转进45纳米制程，且开始导入30纳米制程，目标是希望在年底前旗下8万片产能都转进30纳米。业界也分析，三星对于制程技术的领先不断逼近，尔必达(Elpida)近期也不甘示弱的持续示威，瑞晶若能在年底前全数导入30纳米制程，预计可为尔必达阵营注入强心针，成为拉近与三星距离的利器。华亚科也在9月已完成42纳米制程的转换，且同步开始试产30纳米制程，预计2012年30纳米可进入量产，且转进4Gb芯片，预计这会是2012年产品主流。不过存储器业者分析，不论DRAM厂在制程技术上如何较劲，也很难改变个人计算机(PC)需求短期内无法看到曙光的事实，因此转进服务器DRAM、Mobile RAM才是度过低潮的解决之道。三星日前来台举办行动解决方案论坛时，也表示公司PC DRAM产能比重已降至30%，尽量将产能转进利基型存储器产品上，且对于2012年的存储器市场是押宝SD卡NAND Flash产业如固态硬盘(SSD)、内嵌式存储器等后势发展会较为乐观。 2011-10-14 09:36:46