SD卡芯片老大三星利基型存储器比重提升至70%

三星电子(Samsung Electronics)行动解决方案论坛在2012年正式迈入第8届,装置解决方案事业部社长权五铉表示,未来营运发展方向会紧贴著行动装置和服务器市场,虽然目前旗下标准型存储器产能中,已有70%转到非PC用DRAM产品上,但不代表会放弃PC DRAM芯片,而是持续驱动成本下降;同时他也强调三星的存储器技术领先同业近2个世代,技术竞争力是三星最大优势和核心。权五铉从2008年开始掌管三星半导体事业部门,2011年所负责的版图,更扩及至LCD事业部,目前旗下掌管DRAM、NAND存储器、系统芯片和LCD事业;在29日行动解决方案论坛中,他已相当明显鲜少提到「PC」 一词,取而代之是把行动装置或服务器2项应用挂在嘴边,可感受到未来产业景气的风向。权五铉表示,虽然存储器产业变化快速,但掌握核心技术相当重要和提升营运效率相当重要,也希望能效法英特尔(Intel)长期保有稳定获利。权五铉明白指出,目前旗下Mobile RAM、服务器DRAM、利基型存储器等合计产能比重已达70%,并不表示三星会放弃PC DRAM产品,而是会强化制程技术向下驱动,并进一步降低成本结构。三星日前才宣布20纳米制程的DDR3正式量产,相较之下,SD卡 台系DRAM厂最快也才刚要试产30纳米制程,三星在DRAM制程技术上领先台厂1~2个世代。虽然三星对于半导体产业前景保守看待,但对于行动装置市场则是保持乐观态度,包括强化Mobile RAM产品和技术竞争力,以及智能型手机相关的晶圆代工产品上。三星看好内嵌式存储器前景,尤其在智能型手机和平板计算机内建的eMMC产品上,也布局相当积极,日前宣布推出采用20纳米制程技术生产的高容量64GB eMMC产品,其厚度仅1.4mm,重量仅0.6克,能储存高达1.6万首数码音乐。三星表示,20纳米制程的eMMC产品比原本以30纳米制程生产的产品,连续读取速度大幅提高,相较于外接的快闪记忆卡读写速度更是快上3倍之多,预计智能型手机和平板计算机内建eMMC产品比重会持续增加,且预计2011年底前采20纳米制程生产的eMMC产品比重会提升至60%。此外,SD卡工厂 针对行动装置用的DRAM产品,三星在2010年底推出30纳米制程的4Gb LPDDR2之后,日前也正式催生30纳米制程的4Gb LPDDR3(Low Power Double Data Rate 3),4Gb LPDDR3速度比4Gb LPDDR2快1.5倍,预计于2011年第4季送样,并于2012年大量导入智能型手机和平板计算机上等行动装置上。三星电子储存事业策略营销部副社长洪完勋表示,4Gb LPDDR3产品量产后,会与客户强化合作,扩大导入新一代的行动装置存储器上。晶圆代工领域上,三星则宣布推出采低耗电32纳米HKMG制程研发的ARM Cortex A9双核心处理器Exynos 4212,强调功率消耗较前一代处理器降低30%,效能增加25%,且搭载绘图处理器(GPU)使得3D绘图效能较前几代处理器增加50%,预计2011年第4季将送样给特定客户。 2011-10-05 13:03:23