三星扩大资本支出 SD卡提高制程

三星电子(Samsung Electronics)原本对全球最大快闪存储器16产线的投资犹豫不决，近来决定扩大对DRAM投资，以拉开与后继业者差距。据韩国半导体业者表示，9月以来三星为扩大快闪存储器和SD卡 DRAM存储器芯片等生产，已对外进行设备发包。三星正逐渐将华城转换为存储器生产据点，而本次订购的设备主要集中使用于生产快闪存储器的16产线及生产DRAM的13、15产线。三星为扩大才启动不久的16产线的产量，决定追加投入设备。目前16产线主要生产21纳米快闪存储器。韩国业者指出，16产线的投资较三星原先计画的日程晚，但新设备进厂后，可望提早投入全稼动的日程。三星期望年底前能具备以12寸晶圆计算，每月2万片规模的生产体系。 DRAM芯片则着重于扩大转换微细制程。华城13产线为扩大量产20纳米DRAM，已增设生产设备。三星近来也开始生产20纳米DRAM。三星为提升20纳米DRAM生产良率，一面引进新设备，一方面升级30纳米级设备。本次的资本支出将包含曝光机、测量设备和蚀刻设备等。SD卡工厂专门生产DRAM的15产线将完全转换生产30纳米DRAM，已引进设备。产量约每月17万片的15产线，30纳米DRAM产品约占整体制程的70%。三星计划引进设备，将其余的40纳米制程全数转换为30纳米制程。三星相关人员表示，15产线将于2011年内全部转为30纳米制程，与竞争厂拉大差距。2012年中，若13产线研发中心能将20纳米制程DRAM生产良率提高至80%，将会把技术移转到15产线等，立即投入量产。 2011-10-05 12:59:00