东芝挑战3次元快闪存储器 SD卡储存空间再升级

全球NAND Flash龙头大厂东芝(Toshiba)研发次世代3次元NAND Flash「BiCS」，可望将储存空间提升至256GB以上，虽然此举将迫使东芝放弃目前在NAND Flash在拥有的市场优势，但为了把握日后的市场需求，东芝仍决定进行布局。另一方面，韩国面板大厂三星电子(Samsung Electronics)亦将其视为重要竞争对手，同样着手研发3次元SD卡 NAND Flash。东芝在设立于三重县的四日市工厂，着手研发次世代半导体BiCS。该半导体的记忆层可重迭数10层，被视为3次元技术。由于3次元的记忆方式不需仰赖微细化制程，因此记忆容量有望大幅增加，达到目前的10倍以上，达TB规模的储存量。四日市工厂是负责生产24纳米以及19纳米NAND Flash的新锐工厂，该厂拥有优秀的微细化技术和生产经验，将提供分享作为研究3次元NAND Flash的参考。目前东芝正致力于确立制程，估计2013年可开始量产作业。SD卡工厂目前NAND Flash的最大存取空间为64GB，但1片BiCS芯片至少能提供256GB的储存空间，已是NAND Flash的4倍，未来有望提供TB规模的储存空间。但对东芝来说，研究3次元NAND Flash有如赌注。东芝已是全球NAND Flash市占率二哥，且握有领先三星的技术优势。若硬是要进军3次元NAND Flash，则等于亲手放弃现有的大好江山，重先掀起一场激烈的技术竞争。对此，东芝社长佐佐木则夫表示，现有的微细化制程技术迟早会面临瓶颈，虽然东芝仍打算攻占市占率龙头位置，但率先对3次元技术布局亦是重要的策略，业界人士指出，至2013年NAND Flash发展至15纳米规格后，便很可能无法再突破。SD卡 NAND Flash的回路会储蓄电荷并在必要时释放，提供用户实行资料存取功能，因此若微细化制程将回路切割的愈精密，素子的距离就会愈近。此举有可能导致素子无法承受电压，资料出现错误。东芝半导体与存储器社的SSD技师长百富正树表示，东芝决定提早对应日后将到来的大容量存取要求。东芝对NAND Flash的研究已突破20纳米，再过2个世代，很可能就要闭幕，届时竞争舞台势必会移转。对此东芝半导体与存储器社社长小林清志指出，信息革命往往会带来无限商机，且未来用户对存储器的需求势必会激增。根据外电报导，智能型手机(Smartphone)与平板计算机(Tablet PC)、超轻薄NB等行动装置，很可能在2015年前普及全球。而2015~2020年期间，云端服务将成为主流，届时服务器亦需要庞大储存量。东芝若一昧致力于研究NAND Flash，最后很可能无法对应市场需求，导致无利可图，且其它大厂亦非默默旁观，根据外电报导，三星已开始研发3次元NAND Flash，并计划于2012年试产，2013年量产，将东芝视为头号劲敌。 2011-10-05 12:58:25