据报导，三星电子(Samsung Electronics) DRAM存储器芯片制程技术从30纳米缩减至20纳米，再度写下DRAM微细制程的新纪元。三星22日宣布领先全球采用20纳米制程量产2Gb容量DRAM，其2010年7月率先采用30纳米级制程量产DRAM等，
SD卡在转换到20纳米制程上也不遑多让，展现出其DRAM技术优势。
20纳米制程意味著芯片电路的线幅为头发的4,000分之1，半导体制程越微细，便能缩减芯片尺寸，单一晶圆能生产的芯片数量增加，借以降低生产成本。三星投入20纳米制程，较30纳米制程DRAM增加约50%生产性，耗电量也较30纳米DRAM减少约40%以上，且与目前海内外竞争厂主要生产的40~30纳米DRAM相比，大幅提升产品成本竞争力，为划时代的制程技术。
三星20纳米制程DRAM投入量产后，将拉大与排名全球第2的海力士(Hynix)及排名第3、4的美光(Micron)及日本尔必达(Elpida)等海内外竞争厂的技术差距。海力士目前主要以30纳米制程生产DRAM，计划2012年初开发出20纳米制程产品，
SD卡工厂海力士计划在完成20纳米制程DRAM研发的同时投入量产。
在半导体业界排名第3的尔必达于2011年7月便对外宣布，将投入20纳米DRAM量产，然而到目前为止仍未见到相关样品。韩国业界推测，可能是尔必达为突破财政困顿的难关，抢先发表仍未完全准备好的产品内容。
三星投入20纳米量产后，将能维持业界最高的收益。韩国Mirae Esset理事表示，观察目前DRAM价格，40纳米级计算机用DRAM产品为赤字、30纳米产品则勉强有盈余。20纳米DRAM在目前的情况下，将可创造稳定的收益。
海力士、尔必达、美光等DRAM业者仍停留在40~30纳米制程，在DRAM跌幅持续的情况下，三星量产20纳米制程产品将能稳定自身的收益。且除较难确保收益的计算机用DRAM产品外，三星行动装置、服务器、绘图DRAM等收益性较佳的特殊DRAM产品销售比重超过70%，强化其收益构造。
