据报导，三星电子(Samsung Electronics)将于8月底投入20纳米等级DRAM量产。计算机用DRAM价格近来传出暴跌，全球存储器业界遭受冲击，三星挺进20纳米制程，除确保收益性外，也能与后继业者拉开差距。
三星近来已完成20纳米等级DRAM开发，8月内将会投入量产。三星相关人员表示，为转换至20纳米制程，上半年完成了开发作业，近来则完成样品生产，量产的所有准备作业已完成，目前内部正在思考正式发表的时程。
三星在过去6个月间，致力于提升20纳米制程生产良率，近来良率已超越60%，可正式投入量产。三星在举行第2季法说会时曾表示，年底将会着手进行20纳米DRAM量产，若8月底投入量产，则较原计画提早约3个月。
进入8月后，
SD卡工厂日本尔必达(Elpida)对外宣布已开始生产25纳米DRAM，然仍为样品水平，外电透露，和韩国业者的水平相比，仅与30纳米制程产品相当。海力士(Hynix)目前扩大30纳米制程比重，并将于年底完成20纳米产品的开发。完成开发至量产仍需要相当时间，因此三星量产20纳米DRAM已与其它业者拉大6个月至1年的差距。
从30纳米制程转换至20纳米制程，产量一般会增加约60%，达到节约生产成本的效果。
SD卡 近来DRAM价格跌到0.61美元，转换微细制程较迟的日本及台湾业者生产成本为1美元以上，因生产量越大亏损也越多，台厂近来纷纷决定减产。若三星转换20纳米制程，即使DRAM价格未反弹，也仍能撑过难关。
韩国半导体专家指出DRAM价格下跌幅度变大，台厂甚至日厂尔必达都将进行减产。三星提早转换微细制程，即使面对半导体市况恶化，反而能扩大全球市场占有率，对三星来说将是个良机。
