NAND Flash大厂东芝(Toshiba)与快闪记忆卡大厂新帝(SanDisk)合资的新12吋晶圆厂Fab 5日前宣布投产，预计第1批24奈米制程芯片将于8月正式出货，未来将转进19奈米制程；而三星电子(Samsung Electronics)新厂Line 16也将于9月正式投产，预计以NAND Flash芯片为主。以2011年第1季全球市占率来看，三星与东芝之间市占差距仅0.3个百分点，几乎在伯仲之间，即使传出智能型手机和平板计算机需求不如预期，但双方在新厂上的扩产，恐见不到休兵之日。东芝和新帝在2010年7月宣布，将合资第3座12吋晶圆厂Fab 5，同样位于日本三重县四日市，经过1年的设备装机和准备后，日前Fab 5已正式量产，目前东芝和新帝的主流制程为24奈米，预计第1批24奈米制程的晶圆将于8月正式出货，接下来也将导入19奈米制程。经过日本311强震洗礼，新帝指出，新厂Fab 5是采用先进吸震结构，并整合多项电力补偿技术，以防因意外造成生产线中断，而在节能减碳方面，Fab 5也采用LED照明和节能型生产设备，Fab 5将达成全厂二氧化碳排放量比Fab 4减少12%的目标；再者，通过一条晶圆运输系统，Fab 5可与Fab 3和Fab 4连接在一起，提升生产制造的效率。而东芝NAND Flash领域上的劲敌三星，其新厂Line 16也将于9月正式投产，NAND Flash芯片将是最主要的产品；根据市调机构iSuppli统计，2011年第1季全球NAND Flash市场上，三星和东芝仍分属第1、2名，但市占率却已拉锯到0.3个百分点，因此未来新12吋晶圆厂产能将是双方的决胜点。面对三星已蝉联全球NAND Flash产业宝座长达8年，东芝不只一次宣示要挑战三星龙头宝座，Fab 5量产问世颇有此雄心壮志；以出货量来看，东芝／新帝在日本的2座12吋晶圆厂，目前单月能约35万片，三星在华城Line 12、器兴Lien 14和美国奥斯汀厂等厂房，相加的产能也约35万片，未来新产能加入后，预计会左右战局。至于美光(Micron)和英特尔(Intel)也有扩产计划，新加坡新12吋晶圆厂则由美光拿下主导权，显见美光未来重心将放在NAND Flash产业上，且积极巩固技术领导地位。东芝／新帝、三星、美光(Micron)等都积极扩建NAND Flash产能，主要也是看中智能型手机、平板计算机、固态硬盘(SSD)无限商机，当科技产业趋势往行动通讯和系统体积轻薄短小方向移动，对于NAND Flash芯片就越有利，取代传统硬盘的机率大幅攀升，因此半导体厂的扩产竞赛丝毫不能懈怠。三星新厂Line 16在2011年4月举办完工仪式后，预计将于9月正式投产，加上美光和英特尔的新厂也预计在第3季末到第4季之间量产，预计在2011年底前，东芝／新帝、三星、美光／英特尔(Intel)等新12吋厂将全员到齐。
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2011-07-25 23:34:42
