SD卡技术介绍

韩国海力士半导体（Hynix Semiconductor）在“2011 Symposium on VLSI Technology”上发表了20nm工艺的64Gbit MLC（multi-level cell）NAND闪存（演讲编号：4B-2）。海力士称这是业内首次以20nm工艺实现大容量多值NAND闪存。

该闪存得以实现的关键在于为降低字线间干扰而导入的气隙技术。其特点是与原来的使用案例相比，使用了大气隙，获得了更高的降干扰效果。据海力士介绍，字线间干扰的降低效果与形成的气隙的形状和位置（高度）有非常大的关系。因此，海力士通过模拟解析，观察了气隙形状为箱形或椭圆形，并将气隙形成位置（浮动栅极下端与气隙下端之间的相对高度差）变为0埃或200埃时，对字线间干扰的影响。结果显示，采用箱形气隙且气隙相对高度设为0埃时，最能够减小字线间的干扰。

此外，海力士此次通过采用ArF液浸曝光技术和侧墙图形技术，形成了20nm工艺要求的字线和位线。

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2011-06-22 09:32:05