Kingston发表HyperX灰色特别版内存模块

据报导,IBM超高密度赛道内存(Racetrack Memory)开发已有新的进展,尔后新款内存可同时保有硬盘超高容量,与闪存的微型、高速、耐用特性,原型产品预估可望于2年后亮相。
据报导,赛道内存存储技术首见于2004年,当时由IBM旗下的Almaden Research Center研究人员Stuart Parkin所提出。现Parkin所领导的开发团队,已确定在电流影响下,赛道内存位的移动方式,将可确保记录数据时,不会覆写到先前存储的信息。
赛道内存中信息位代表着域壁(Domain Walls),域壁为延奈米线分布的微小磁化区域,在电流影响下,位会转换成0与1。然与当前存储技术不同的是,奈米线若为垂直嵌入芯片中,赛道内存便可以3维存储位,再透过磁化读取。
Parkin指出,对于电流影响下的域壁移动方式,学者各持不同看法,域壁的移动方式是否有如带有质量的粒子,需费时加、减移动速度,过去一直没有统一定论。现在Parkin发现,域壁需10奈秒与1微米(μm)的加速距离,方能达到每秒140公尺的最高速度,于电流中断后,域壁亦需10奈秒与1微米(μm)的减速距离,方能达到为全静止。换言之,域壁移动方式确如带有质量的粒子。Parkin预计,约于2年后便可看到制作出赛道内存原型。
了解域壁的移动方式后,方能透过电流控制内存位,史丹福大学(Stanford University)材料科学与工程暨电子工程教授Shan Wang解释,了解赛道内存域壁频率,方能避免在错误的区域写入信息,然该研究发现,离实际内存装置尚有一段距离。美国Lawrence Berkeley国家实验室学者Peter Fischer则指出,开发人员仍需对赛道内存的耐用程度,提出更详细的说明。

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2011-01-12 21:42:47