据报导，IBM超高密度赛道内存(Racetrack Memory)开发已有新的进展，尔后新款内存可同时保有硬盘超高容量，与闪存的微型、高速、耐用特性，原型产品预估可望于2年后亮相。
据报导，赛道内存存储技术首见于2004年，当时由IBM旗下的Almaden Research Center研究人员Stuart Parkin所提出。现Parkin所领导的开发团队，已确定在电流影响下，赛道内存位的移动方式，将可确保记录数据时，不会覆写到先前存储的信息。
赛道内存中信息位代表着域壁(Domain Walls)，域壁为延奈米线分布的微小磁化区域，在电流影响下，位会转换成0与1。然与当前存储技术不同的是，奈米线若为垂直嵌入芯片中，赛道内存便可以3维存储位，再透过磁化读取。
Parkin指出，对于电流影响下的域壁移动方式，学者各持不同看法，域壁的移动方式是否有如带有质量的粒子，需费时加、减移动速度，过去一直没有统一定论。现在Parkin发现，域壁需10奈秒与1微米(μm)的加速距离，方能达到每秒140公尺的最高速度，于电流中断后，域壁亦需10奈秒与1微米(μm)的减速距离，方能达到为全静止。换言之，域壁移动方式确如带有质量的粒子。Parkin预计，约于2年后便可看到制作出赛道内存原型。
了解域壁的移动方式后，方能透过电流控制内存位，史丹福大学(Stanford University)材料科学与工程暨电子工程教授Shan Wang解释，了解赛道内存域壁频率，方能避免在错误的区域写入信息，然该研究发现，离实际内存装置尚有一段距离。美国Lawrence Berkeley国家实验室学者Peter Fischer则指出，开发人员仍需对赛道内存的耐用程度，提出更详细的说明。
