NAND Flash应用产品进入传统淡季的效应在快闪记忆卡和随身碟市场相当明显，预计将持续至6月；系统产品如智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)的需求因为仰赖少数客户的订单，因此淡季效应也仍在，NAND Flash市场从5月开始明显走入供过于求的情况。
据统计，5月上旬的NAND Flash合约价持续下跌2~10%，反应市场走入传统淡季后，开始形成供过于求的情况，而原本担心日本地震可能带来的供给吃紧，在之前已有预期心理而充分补货下，多数下游客户的库存水位都已垫高，短期内没有再大幅补库存的需求，也导致价格下跌。
展望后市，预估NAND Flash市场将自5月份起将转为供过于求的状况，合约价格在第2季中后期将会由4月份的持稳状况，转为下跌的走势。
目前影响NAND Flash市场的因素相当多，主要还是需求端买气不振，不只是快闪记忆卡和随身碟的需求相当疲弱，且预计将持续至6月，系统产品如平板计算机及智能型手机的需求也多数仰赖少数客户的大订单，因此整体市场并不热络。
再者，NAND Flash大厂制程微缩也使得供给端产出不断增加，三电子(Samsung Electronics)的27奈米制程成功量产后，下半年要转进21奈米制程，美光(Micron)／英特尔Intel)阵营则是从25奈米制程转进20奈米，海力士(Hynix)下半年也要转进20奈米制程，东芝(Toshiba)则预计由24奈米制程转进19奈米，预计下半年问世，各家NAND Flash大厂不只2011年第2季的位成长率(Bit Growth)拉高，下半年也相当可观。
加上6月份起NAND Flash供应商将开始受到第2季季底因素影响，而采取促销策略以降低库存水位。而下游系统产品客户希望先前3月份因地震不确定因素所推升的价格，若能在新机种推出前适度地降价，将会有助于提升第3季中后期采用搭配较NAND Flash高储存容量的意愿。
在供给和需求双重考验之下，NAND Flash市场开始走入供过于求，合约价也呈现下跌；根据调查， NAND Flash供货商将于6月起为了降低第2季传统淡季影响，将采取促销策略以降低库存水位。
