2011年最被看好的NAND Flash应用包括固态硬盘(SSD)、平板计算机(Tablet PC)、智能型手机(Smart Phone)等3大类，其中平板计算机和智能型手机需求都以内嵌式内存eMMC为主，而SSD应用也随着NAND Flash制程技术进入20奈米制程后，单价逐渐下滑，因此开始进入消费性计算机、工业领域等市场。
目前消化NAND Flash芯片最大宗的应用仍以手机为主，其他包括快闪记忆卡、MP3播放器、随身碟等应用都持续萎缩，而手机对于NAND Flash芯片的消化，过去以外接式记忆卡microSD为主，目前趋势则转为内嵌式内存eMMC，或是SSD变形的iSSD和mSATA等产品。
2011年的NAND Flash产业位成长率(Bit Growth)上，主要来自于扩产和制程微缩两项贡献，目前包括
三星电子(Samsung Electronics)、
美光(Micron)/
英特尔(Intel)、
东芝(Toshiba)/
新帝(SanDisk)3大阵营都有新建新12吋晶圆厂计划；海力士(Hynix)既有的厂房也持续增加产能，而原本态度迟疑的
英特尔，也在日前宣布与
美光一起扩建新加坡12吋晶圆厂，宣示持续投资NAND Flash产业。
在制程技术上，
美光和
英特尔阵营藉由25奈米制程量产再度抢头香，但进入下半年之后，各阵营新制程均加紧脚步，其中
三星将从既有的27奈米转进21奈米制程，
美光/
英特尔阵营计划从25奈米转进20奈米制程，海力士也打算转进20奈米制程，而
东芝更是宣布推出全球体积最小的19奈米制程产品。
总和各家的进度，预期2011年NAND Flash产业的位成长率约80~85%，新产能贡献主要会集中在年底，而最大应用则以平板计算机和智能型手机为主。
