SD卡工厂观望：NAND Flash厂拼制程,但是否量产是关键
全球4大NAND Flash阵营除了持续扩产外，同步都在制程技术上下猛药，除了既有的24、25、26、27奈米制程，下半年都预计转进19、20和21奈米制程技术，强化其成本竞争力；不过业界指出，不管是19、20和21奈米制程，技术层次相同，只是端出的数字不同，是否真能步入量产才是重点，但现在OEM系统厂对新制程的认证时间都拉长一倍，显见制程与质量间未必成正比。
2011年NAND Flash市场和DRAM产业一样，都是合约市场热、现货市场冷，原因之一是终端应用两极化，现货市场最大宗应用是快闪记忆卡和随身碟产品，2011年已逐步迈入饱和，成长性极度缺乏，相对的，合约市场应用集中在平板计算机(Tablet PC)和智能型手机(Smartphone)上，却是2011年最受注目的产品。
另一原因是NAND Flash大厂制程技术不断演进，但芯片质量却不断打折扣，导致系统大厂如苹果(Apple)等，认证时间增加一倍，例如以前在30奈米世代，大厂认证时间要3~6个月，但到了26奈米或27奈米世代，认证时间拉长至6~9个月，同时也传出三星电子(Samsung Electronics)的27奈米和东芝(Toshiba) 24奈米，都还没通过苹果iPad和iPhone认证。
内存业者表示，以目前4大阵营的制程进度来看，虽然第1阶段20奈米制程竞赛是以美光(Micorn)和英特尔(Intel)抢头香，领先量产25奈米，之后三星27奈米制程、东芝24奈米制程、海力士(Hynix) 26奈米制程陆续问世，进入下半年后，NAND Flash大厂则是转进第2阶段的20奈米竞赛。
其中三星从27奈米转进21奈米制程，美光／英特尔阵营和海力士则是转进20奈米制程，东芝更是不甘示弱，宣布下世代制程将是全球体积最小的19奈米制程，打破业界认为NAND Flash技术到20奈米以下就走不下去的说法。
不过业者表示，制程技术微缩越来越困难，所以NAND Flash厂都喜欢在数字上做文章，不论是19、20或是21奈米制程，技术都是同一层次，要真正进入量产阶段才算数，且届时良率也是关键，否则制程的数字定义其实没有太多实质意义。
