三星电子(Samsung Electronics Co., Ltd.)11日表示，该公司已领先业界开始生产高效能的toggle DDR 2.0接口、多阶储存单元(MLC)闪存(NAND Flash)。三星指出，此种新款的NAND型闪存拥有64 Gb的记忆密度，采用先进的20奈米制程生产，适用于需要强大效能的智能型手机、平板计算机与固态硬盘机(SSD)等行动产品。
三星表示，此款64Gb MLC产品的数据传输速度可达400 Mbps，为现今广泛使用的40 Mbps SDR NAND型闪存的10倍，与133 Mbps toggle DDR 1.0的32 Gb NAND型闪存相比则为3倍。这个数据传输速度比目前市场上广泛应用的NAND闪存芯片的速度快10倍.
快闪记忆卡巨擘SanDisk Corporation 4月20日宣布推出全球最先进、采用19奈米制程技术的64Gb 2bps (X2)NAND型闪存。SanDisk将可藉由这项技术生产高容量、小尺寸的内嵌可抽取式储存装置，专门应用于手机、平板计算机等装置。这款19奈米64Gb X2装置为全球体积最小、成本最低的NAND Flash，是与合作伙伴东芝(Toshiba)共同开发出的最新产品。
英特尔(Intel Corp.)与美光(Micron Technology Inc.)于4月14日宣布推出最新采用业界最小、最先进20奈米制程技术的8GB MLC NAND型闪存，占主板的面积较英特尔、美光现有的25奈米8GB NAND Flash少了30-40%。
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