长江存储计划明年第四季度量产64层3D闪存

Digitimes报道,紫光投资的长江存储卡工厂传来新动态。

CEO杨士宁博士透露,长江存储卡工厂计划在明年第四季度量产64层堆叠的3D NAND闪存芯片。

资料显示,今年4月份,长江存储卡工厂在武汉的TF工厂开始设备安装,今年晚些时候投产323D闪存。杨士宁表示,32层产品非常成熟,已经开始少量接单。

不过,从成本和市场接纳度来看,64层的竞争力更强,长江存储卡工厂也将投入更多的精力在这一代上。关键技术方面,长江存储卡工厂将引入全新3D NAND架构Xtacking,即在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路,从而将I/O速度提升到3Gbps

要知道,目前世界上最快的3D NAND I/O速度的目标值是1.4Gbps,而大多数NAND存储卡工厂仅能供应1.0 Gbps或更低的速度。

长江存储卡工厂希望在643D闪存量产后,公司的毛利率可以转正,届时月产能预计10万片。

2018-09-21 10:15:41