SD卡工厂：三星HBM2 DRAM首量产 速度快7倍

    超级计算机与大数据云端服务的时代来临！三星电子刚刚宣布投产最新4GB HBM2 DRAM、资料处理速度为前一代4Gb GDDR5 DRAM的七倍之多。
    根据三星19日最新发布的新闻稿，旗下4GB HBM2 DRAM已正式投产、为业界首见，可用于超级计算机的高效能运算(HPC)技术、先进的绘图与网络系统以及商用服务器。三星最新的HBM解决方案可让DRAM运算速度拉高七倍以上，对平行计算(parallel computing)、绘图成像(graphics rendering)以及机器学习(machine learning)的反应更加灵敏。
    最新发表的4GB HBM2 DRAM采用三星20nm制程技术与HBM芯片设计，满足人们对高效能、高省电、可靠性与小尺寸的需求，相当适合次世代的HPC系统与绘图卡。
    三星还说，8GB HBM2 DRAM预计今(2016)年之内就可投产，若绘图卡采用这种DRAM，使用的空间将较GDDR5 DRAM节省95%以上。