TF卡工厂:传东芝携SanDisk砸4000亿日圆建3D Flash新工厂

    三星电子领先全球同业、于2014年10月抢先量产3D架构的NAND Flash 产品,不过三星竞争对手东芝(Toshiba)也拼了,除3D Flash专用厂房于2015年启用之外,还传出将砸4000亿日圆倍增3D Flash产能。
    TF卡封装大厂报导,东芝计划携手SanDisk在日本三重县四日市兴建一座NAND Flash新工厂,最快将在2017年
度启用量产,目标为藉此将采用3D架构的NAND Flash产能提高至现行2倍水平。据报导,上述NAND Flash新厂将坐落在现行四日市工厂附近,预计将在2016年度动工兴建,投资额将超过4,000亿日圆,设备投资费用将由东芝和SanDisk均摊。
    TF卡协会指出,3D Flash需求看俏,东芝位于四日市工厂内的3D Flash专用厂房甫于2015年启用,而东芝计
划藉由兴建上述新工厂,来确保有充足的3D Flash产能、以因应市场需求。据报导,3D Flash设备投资竞争激烈,南韩三星电子已利用中国西安工厂量产3D Flash,美国美光(Micron)、南韩SK Hynix也已导入生产。
    东芝去年10月21日宣布,于2014年9月动工进行改建的NAND Flash生产据点“四日市工厂”第2厂房(以下称新
第2厂房)部分工程已完工,且东芝已和SanDisk签订正式契约,将携手对新第2厂房进行设备投资。
    东芝指出,上述新第2厂房将在2015年度第4季(2016年1-3月)开始进行生产,且期望藉由该厂房建构3D NAND
Flash的生产体制,藉此加快2D NAND Flash产品转换至3D NAND Flash的速度。东芝表示,该新第2厂房所有改建工程预计将在2016年上半年内完工,而其具体产能、生产计划等细节将待评估市场动向后再行决定。
    三星于2014年量产的3D NAND Flash产品为垂直堆栈32层,但东芝已研发出超越三星的制造技术、可堆栈48层
。东芝和SanDisk去年8月3日宣布开发出48层的3D NAND Flash。BGR报导,东芝和SanDisk采用15奈米制程,打造出新3D NAND Flash,据称速度为业界之冠,并更具能源效益。尽管东芝新闻稿未提及可能客户,BGR称,假定苹果(Apple)沿用旧有供应商,这么一来新的3D NAND Flash或许将用于iPhone 7。

2016-01-12 08:34:46