SD卡工厂：1xnm DRAM芯片明年将量产

    DRAM主力制程才刚进入20nm，市场传出三星、SK海力士、美光在2016年将开始量产1xnm DRAM，三星最早预定是2016年第一季度，美光的进度最慢，但也已经表态将会在2016年争取量产1xnm制程。
    三星、SK海力士、美光这三家厂商的DRAM市场供应量合计超过85%，目前正致力于在2016年进入1xnm制程的DRAM量产，其中以三星的进度最快，去年3月份才量产了20nm制程，目前已经完成了1x nm量产的验证工作，预计2016年第一季就可以量产新制程的DRAM。
    SK海力士的进度比三星略慢，2016年上半年也会完成1xnm制程的DRAM开发工作，并争取于2016年下半年量产。美光的进度虽是最慢的，但美光的CEO也表态称2016年目标除了提升20nm产能之外，也会争取量产1xnm制程的DRAM。
    NAND Flash芯片在2013年从20nm等级进入10nm等级，由于需要更精密的工艺技术，量产的难度增加，各原厂的工艺制程也出现了显著的差异，且同时传出原厂制程切换不顺的消息，如今DRAM向20nm以下发展，或将面临NAND Flash曾经所遇到的技术问题。
    市场更关注的是价格，2015年由于PC市场需求持续不振，标准DRAM价格也受影响呈疲软状态，Mobile DRAM受惠智能型手机需求带动跌价不深，中国闪存市场网认为，2016年DRAM原厂积极向1xnm工艺转进，较上一代20nm将进一步降低成本，这对2016年DRAM价格将造成一定的冲击。同时，原厂更精密工艺量产也将迎来挑战，能否顺利进入量产需要密切观察，对于DRAM市场2016年是一个关键年。