2015年以来，NAND Flash价格一直处于下滑的通道，据中国闪存市场网ChinaFlashMarket数据显示，整体NAND Flash价格指数跌幅已高达35%，主要是因为原厂三星、东芝、SK海力士等具有更低成本的1ynm TLC扩大应用，其次整体市场需求成长趋缓也加剧了市场价格下滑。
由于2015年NAND Flash持续下滑，16GB闪存卡市场价格已逼近供应商的成本价，在企业财报营收压力下，部分供应商减少16GB市场供货，在市场涨价意愿持续发酵刺激下，昨日（12月8日）终于迎来一波涨价行情，今日价格持续上涨，UHS-I规格闪存卡16GB深圳价格已上涨至16元，涨幅达5%。16GB闪存卡虽然产品涨价，但是智能型手机市场需求受淡季影响有所减弱，价格回调的风险仍大，市场买卖交易仍需谨慎。
来源：中国闪存市场网
2015年原厂基于1ynm TLC工艺，加速扩大128Gb(16GB) NAND Flash Die规模量产，一般16GB容量只需要1颗128Gb Die进行单芯片封装，32GB容量需要两颗堆叠，在封装成本上，16GB单芯片封装要比32GB两颗芯片封装具有更大的成本优势，这也是16GB闪存产品价格快速下滑的主因，据中国闪存市场网报价显示，2015年闪存卡UHS-I规格16GB价格累积跌幅已达35%以上。
2016年256Gb NAND Flash将成为主流
随着原厂三星、东芝等向3D NAND技术的发展，48层3D NAND可以实现256Gb Die量产，这将推动闪存产品从32GB容量起跳，16GB市场供货将会逐渐减少。原厂基于成本考虑，将会以32GB作为主推容量，而市场价格将加速下滑，推动市场主流容量向32GB以上转移。
