2015年Flash原厂加速向1ynm TLC转进，相较于1ynm MLC 每片晶圆将增加大约30%的产量，而成本也将降低大约20%。在原厂技术提升的驱动下，NAND Flash价格下滑是必然的趋势，然而2015年全球智能型手机需求增速放缓，平板出货大幅衰退，PC需求持续不振，均加速市场价格下滑。
2015上半年市场需求疲软，下半年在传统旺季需求带动下，市场需求虽然有所好转，但仍低于市场预期。据苹果Q3财报显示，iPhone 销量达4805万台，虽较去年同期增长22%，但是低于市场分析师所预期的4900-5300万台的销售量。据工信部9月统计数据，国内手机市场出货量4220万，较8月出货下滑10%。
受市场需求疲软影响，据中国闪存市场网ChinaFlashMarket报价显示，近3个月Flash综合价格指数跌幅达10%，其中Micro SD 16GB(CL4)跌幅高达20%，eMMC、SSD等主流应用的产品价格也下滑10%左右。DRAM价格亦同样疲软，DDR3 4Gb价格跌幅在8%-15%，由于PC需求将会持续低迷，预计价格恐将持续跌至2016年第二季度。
面对DRAM与NAND Flash价格持续下滑，存储器原厂均在2016年加快技术提升与提高研发投入，以更低的成本优势强化市场竞争力。
据了解，三星京畿道华城17产线在2016年初将开始采用18nm工艺投产DRAM，月产量从4万片提高到5万片；在大陆西安厂将采用最新的48层V-NAND技术，提高3D NAND产量，以巩固市场主导权。
SK海力士计划在第4季采用20nm生产DRAM，目标在2016年中达到总产量的一半，至于京畿道利川厂M14工厂1楼使用的生产设备已大部分搬入，量产项目待定，未来会根据市场情况，考虑把M14 2楼作为3D NAND产线。
东芝计划将在2016年第一季度采用最新的48层3D NAND在改建的Fab 2工厂量产，美光则和英特尔联合研发3D Xpoint布局SSD市场，同时扩建的Fab 10工厂将用于生产3D NAND，英特尔则将中国大连工厂改造为存储芯片厂，很有可能用作生产最新的3D Xpoint。
除了面对NAND Flash和DRAM价格下跌的压力，2015年政府大力支持国内企业发展集成电路产业，清华紫光入股硬盘大厂西部数据获得15%的股权，随着西部数据收购NAND Flash大厂SanDisk，紫光间接获得了NAND Flash上的资源，之后紫光取得力成25%股权布局封测环节，近期同方国芯打算把募资中的600亿元拟新建存储芯片厂，大陆加速促进国内存储产业供应链整合，或多或少给原厂也带来了一些压力。
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