SK海力士成为全球第二家成功量产20nm DRAM的厂商。该公司也力拼3D NAND Flash研发，期盼能在明年量产48层3D NAND。
BusinessKorea 15日报导，SK海力士人员受访表示，该公司引入20nm DRAM制程，过程虽有困难，但已经稳定，开始寄送样品给客户、进入量产。据此而言，SK海力士是世界第二家量产20nm DRAM的业者。三星首开先例，去年3月就量产20nm DRAM。
SK海力士也宣布3D NAND研发计划，社长朴星昱(Park Sung-wook)表示，计划今年逐步发展36层3D NAND，明年全面量产48层3D NAND，和三星较劲的意味浓厚。三星电子8月10日宣布，第三代V-NAND已正式量产，以48层3-bit MLC堆栈。
据传该公司有意拓展系统半导体业务，Park说，这无法短时间内能办到，需要进一步提升能力，若不如此连并购都难以进行，将先发展内部实力，包括晶圆代工等，再来考虑下一步。
韩媒 4月7日报导，据了解SK海力士的清州(Cheongju)M8厂提供系统半导体的晶圆代工服务，SK海力士正在调整该厂产线，增加晶圆生产种类。M8厂专门生产非存储器芯片，目前主要制造CMOS238影像传感器(CIS)、电源管理IC、显示器驱动IC等。报导称，SK海力士招聘了大量非存储器芯片人士，包括业界制程专家和晶圆代工研究者等，协助扩充相关的晶圆代工业务。
美光也力拼DRAM微缩制程，日经新闻10月12日报导，美光计划于今后1年内对日本广岛工厂豪砸1,000亿日圆资金，导入最新生产设备，量产全球最先端、采用16nm制程技术的DRAM产品，且目标为在2016年上半年确立16nm DRAM的量产技术。
