预计下半年 Intel镁光正式推20nm 8GB MLC NAND

据报导指出，由英特尔(Intel)和美光(Micron)出资各半成立的快闪存储器合资公司IM Flash，日前领先业界率先推出最新20纳米制程快闪存储器，再一次站在了NAND闪存制造技术的最前沿，也使得智能型手机和平板计算机里的储存装置可以进一步缩小。

此前，东芝与SanDisk组成的联盟占据着NAND闪存制造技术的领先地位。两家公司同样成立了一家合资企业，目前这家企业已经推出了24nm制程的NAND产品，正在增加这款产品的产能。而Hynix半导体与三星电子两家韩国企业则也已经先后推出了2xnm级别制程的NAND闪存芯片产品。

IM Flash于美国时间14日宣布，该公司正向客户送样20纳米制程8GB NAND快闪存储器，并预计在2011下半年导入量产。届时IMFT还将推出同样采用20nm制程技术的16GB容量的闪存芯片样品，并最终将这种芯片的容量提升到128GB。

IMFT推出的这款20nm制程8GB NAND闪存芯片的芯片面积仅为118平方毫米，宽度方向尺寸相比前代的25nm 8GB NAND产品缩小了30-40%（实际缩小的尺寸依赖于芯片所采用的封装形式）。另外，新20nm制程NAND闪存芯片产品在性能与耐久性方面则与前代25nm产品基本持平。

报导指出，相较于竞争对手包括三星电子、海力士和东芝、新帝等厂仍在量产25纳米制程快闪存储器，英特尔和美光已经先一步跑在前面导入20纳米制程投产。

据悉，IM Flash已经量产25纳米制程达1年半的时间，如今正向20纳米制程转换。英特尔和美光表示，利用20纳米制程投产后，将可望打造比1枚邮票体积还要小的128GB固态硬盘(SSD)。

美光NAND解决方案事业群营销主管Kevin Kilbuck表示，持续进行NAND Flash制程微细化，才能激发出新的终端应用装置出现。如今，该公司可以挤进更多的存储器到现有的终端装置里，或是在较低的成本下使用相同容量的存储器。

利用最新20纳米制程所打造出来的8GB NAND快闪存储器，可以缩小占用电路版空间3成到4成，使得平板计算机或智能型手机可以利用多出来的空间加入其它的功能，例如加大电池的尺寸，拉长电池续航力，或是加入另一颗处理器好处理崭新的功能。

另外，几天前曾有传言称两家公司周四将就新加坡NAND闪存工厂的合作事宜做重要声明，但现在看起来实际情况似乎与大家预料的有所不同。

2011-04-15 20:07:44