TF卡厂家：传Intel力推eDRAM 减少对DRAM依赖
英特尔(Intel)半导体龙头地位摇摇欲坠，与三星电子差距日益缩小，英特尔似乎下决心要扳倒后进，据称打算力推嵌入式DRAM(eDRAM)，减少对DRAM的依赖，让DRAM存储器大厂三星和SK海力士狂冒冷汗。
韩媒1日报导，当前DRAM市场由三星和SK海力士称霸，据传英特尔想削弱对手，第六代Skylake CPU配备eDRAM，提高图形运算效能。eDRAM和DRAM不同之处在于，eDRAM内建在CPU die内，DRAM则和CPU各自独立。业界分析师称，英特尔先前的Haswell和Broadwell芯片已内建eDRAM，原本是实验性质，如今已成为核心策略。日本和美国的半导体杂志也说，中长期而言，英特尔或许会整合CPU和DRAM，发展eDRAM。
报导称，英特尔作法仿效苹果，苹果A系列处理器效能极为稳定，数据和图形处理速度都快过Android机种。A系列芯片DRAM小于Android机，却因采用高效能SRAM和CPU有突出表现。和SRAM相比，eDRAM的优势在生产成本较低，容量较大。与此同时，英特尔的3D XPoint技术也可能重创DRAM，美国业者独霸个人计算机和服务器CPU，可能会藉此推展新技术，如果3D XPoint用于服务器、计算机、移动设备，未来可能成为业界主流，逼走DRAM。
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